LR024Z 时间：2025/12/26 19:46:46 阅读：10

LR024Z是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用紧凑型SOP-8封装，适合高密度PCB布局，尤其适用于需要低导通电阻和快速开关特性的场景。LR024Z以其优异的电气性能和可靠性，在消费电子、工业控制以及通信设备等领域得到了广泛应用。该MOSFET设计用于在低电压控制信号下实现高效的电源通断控制，支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或数字信号处理器（DSP）等低压逻辑电路驱动，从而简化系统设计并降低整体成本。
　　LR024Z的关键优势在于其低阈值电压（Vth）和低漏源导通电阻（RDS(on)），这使得它在电池供电设备中表现尤为出色，有助于减少功耗并提升能效。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗瞬态过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于环境条件较为严苛的应用场合。ROHM作为全球领先的半导体制造商，确保了LR024Z在制造工艺和质量控制方面达到高标准，产品符合RoHS环保要求，并通过多项国际认证，适合出口型电子产品使用。

参数

型号：LR024Z
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.6A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大功耗（PD）：1.5W
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.3V
　　栅极阈值电压测试条件：VDS = -3V, ID = -250μA
　　输入电容（Ciss）：730pF @ VDS = -15V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

LR024Z具备出色的开关性能和导通特性，其P沟道结构使其在高边开关应用中具有天然优势，尤其适合用于负载开关、电源反接保护以及电池管理系统的通断控制。该器件的低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，这对于便携式设备延长电池续航时间至关重要。同时，较低的阈值电压允许其在3.3V甚至更低的逻辑电平下完全导通，避免了额外的电平转换电路需求，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET在动态性能方面表现出色，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这有助于实现更快的开关速度和更小的开关损耗，特别适用于高频PWM控制应用。其SOP-8封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，通过适当的PCB布局可有效将热量传导至地平面，从而提升功率处理能力。此外，LR024Z内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够在感性负载切换时提供有效的续流路径，减少电压尖峰对器件的损害。
　　在可靠性方面，LR024Z经过严格的生产测试，具备高抗静电（ESD）能力，典型HBM ESD耐受电压可达±2000V以上，增强了器件在装配和使用过程中的鲁棒性。其工作结温可达150°C，支持高温环境下的长期稳定运行。ROHM还为该器件提供了完整的应用技术支持，包括参考设计、热仿真模型和SPICE模型，便于工程师进行电路仿真与优化。综合来看，LR024Z是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本敏感的现代电子系统。

应用

LR024Z常用于各类需要高效电源控制的电子设备中。典型应用包括便携式电池供电设备如智能手机、平板电脑和移动电源中的电源开关与电池保护电路；在工业控制系统中，用于继电器驱动、电机控制模块和PLC输入输出单元的电源管理；在通信设备中，作为DC-DC转换器的同步整流开关或热插拔电路中的主控开关器件；此外，也广泛应用于LED照明驱动、USB电源开关、笔记本电脑主板上的子系统供电控制等场景。由于其支持逻辑电平驱动，特别适合与微控制器直接接口，实现智能化电源管理功能。