时间：2025/5/8 10:12:40
阅读：5
LQW18AN3N9C 是一款高性能的功率 MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率并降低能耗。
该芯片封装形式为行业标准的 TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能，使其在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：15mΩ
栅极电荷(Qg)：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to +175℃
LQW18AN3N9C 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以有效减少传导损耗，特别适用于高效能设计需求。
2. 快速的开关性能确保了较低的开关损耗，提升了整体效率。
3. 高额定漏极电流 Id 和较高的 Vds，使其能够胜任大功率应用。
4. 小型化封装与出色的热性能，满足紧凑型设计要求。
5. 工作温度范围宽广，适用于工业级及汽车级环境。
LQW18AN3N3C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 各种负载开关场景以实现快速开启和关闭功能。
5. 电池保护系统中用作理想二极管或反向电流阻断。
LQW18AN3N9D, IRF540N, AO3400
