时间：2025/7/5 5:42:27
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LQW18AN39NG00D 是一款由罗姆（ROHM）半导体制造的 N 沘道 MOSFET 芯片，广泛应用于功率转换、负载开关以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制程工艺，在提供低导通电阻的同时具备出色的开关性能和可靠性。
这款芯片以其高效率和紧凑设计著称，特别适合对空间要求严格的便携式电子设备和汽车应用。此外，LQW18AN39NG00D 还具有卓越的热稳定性和较低的栅极电荷特性，能够有效减少开关损耗。
类型：N-MOSFET
封装形式：LFPAK56E
最大漏源电压VDS：40V
最大栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：39A
导通电阻RDS(on)：1.8mΩ @ VGS=10V
栅极电荷Qg：16nC
反向恢复时间trr：16ns
工作温度范围TJ：-55℃ to +175℃
LQW18AN39NG00D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够在高频条件下显著降低传导损耗。
2. 具备出色的热性能，能够承受长时间高功率运行。
3. 小型化的 LFPAK56E 封装设计，节省 PCB 空间。
4. 高耐压能力 (VDS=40V)，适用于多种工业和汽车级应用场景。
5. 提供稳定的开关性能和快速的切换速度，适合高效 DC-DC 转换器设计。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在恶劣环境下依然可靠运作。
LQW18AN39NG00D 主要用于以下领域：
1. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动与电源管理。
2. 高效 DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关控制。
4. 通信基站和服务器中的电源模块。
5. 各类消费类电子产品中的电池充电管理电路。
6. LED 驱动电路以及其他需要低功耗和高性能的系统中。
LQW18AN39TG00D, LQW18AN39PG00D
