时间：2025/5/29 23:41:55
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LQW15AN18NG00D 是一款由罗姆（ROHM）半导体制造的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件适用于高频开关和低导通电阻的应用场景，广泛用于消费电子、工业设备以及通信领域的电源管理模块中。其设计特点在于高效率和小尺寸封装，非常适合空间受限的设计需求。
该 MOSFET 的工作电压范围宽广，能够支持较高的连续漏极电流，同时具备快速开关特性，有助于降低功率损耗并提升系统性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：98nC
开关速度：快速
封装形式：LFPAK8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LQW15AN18NG00D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用场合。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗，尤其在高频开关电源中表现出色。
4. 小型化封装 LFPAK8 提供了卓越的热性能和电气性能，同时节省了 PCB 空间。
5. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
3. 电池保护电路，如电动汽车和便携式设备中的过流、过压保护。
4. 通信设备中的信号切换和负载切换。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的绿色能源解决方案。
LQW15AN18NG00D 的高性能指标和紧凑设计使其成为现代电子产品中不可或缺的关键元件。
LQW14AN18N3G00D, LQW15AN18NF00D
