时间：2025/5/29 3:39:29
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LQW15AN10NG00D是一款由罗姆（ROHM）公司生产的超小型、低导通电阻的N沟道MOSFET。该器件采用WCSP6G封装，具有出色的开关特性和低功耗特性，适用于各种便携式电子设备和需要高效能转换的应用场景。
该MOSFET专为高效率和小型化设计优化，非常适合空间受限的设计，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他便携式电子产品中的负载开关、DC-DC转换器和电源管理电路。
最大漏源电压：10V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：0.9mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：4nC（典型值）
总电容：130pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：WCSP6G
LQW15AN10NG00D具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在4.5V栅极驱动电压下仅为0.9mΩ，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 小型化的WCSP6G封装，占地面积仅为0.675mm x 0.675mm，高度小于0.3mm，适合超紧凑设计。
3. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷和输出电容，能够实现高效的开关操作。
4. 高可靠性和宽泛的工作温度范围（-55℃至150℃），确保在各种环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
LQW15AN10NG00D适用于以下应用领域：
1. 智能手机和平板电脑中的负载开关和电源管理。
2. 可穿戴设备和其他小型化电子产品的电池管理。
3. DC-DC转换器和降压/升压电路中的功率开关。
4. 各类便携式电子设备中的高效开关应用。
5. 其他对空间和能耗要求较高的电路设计。
LQW15AN10TGW00D
