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LQS30A24-3V3J 发布时间 时间:2025/7/16 13:47:21 查看 阅读:6

LQS30A24-3V3J 是一款基于硅技术的高速、低电容二极管阵列,专为 ESD(静电放电)保护和信号线路的瞬态电压抑制设计。该元器件具有出色的抗 ESD 能力,并能够有效保护敏感的电子设备免受瞬态电压脉冲的损害。它适用于多种通信接口和数据线保护场景。

参数

类型:二极管阵列
  封装:SOT-23
  工作电压:3.3V
  反向击穿电压:6V
  最大反向电流:1nA
  结电容:8pF
  响应时间:1ns
  峰值脉冲电流:±5A
  ESD 防护等级:±30kV(空气放电),±30kV(接触放电)

特性

LQS30A24-3V3J 具有超低电容设计,非常适合高速数据线路的应用。
  其快速响应时间和低泄漏电流使其成为对信号完整性要求较高的应用的理想选择。
  此外,这款二极管阵列具备高可靠性,在极端条件下也能提供有效的 ESD 和浪涌保护。
  由于采用了小型 SOT-23 封装,因此它非常节省空间,适合用于紧凑型设计。
  典型应用场景包括 USB、HDMI、以太网等接口的保护。

应用

LQS30A24-3V3J 广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中。
  具体应用包括但不限于:
  - 移动设备中的天线和 I/O 端口保护
  - 笔记本电脑和其他便携式设备的数据线保护
  - USB 接口的 ESD 和过压保护
  - HDMI 和其他高速视频接口的保护
  - 工业控制模块中的信号线防护

替代型号

LQSP30A24-3V3J, PESD3V3S1BL