时间：2025/5/10 10:52:01
阅读：5
LQP15MN3N9B02D是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻N沟道小型MOSFET，采用USP-6B封装形式。该器件具有出色的开关性能和较低的导通电阻特性，适用于各种需要高效功率转换和负载开关的应用场景。
此MOSFET的主要特点在于其超小尺寸设计和高效率表现，非常适合便携式电子设备、消费类电子产品以及空间受限的应用环境。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：1.4A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：400mW
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装形式：USP-6B
LQP15MN3N9B02D拥有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。同时，其小巧的封装尺寸使得它成为节省PCB空间的理想选择。
该MOSFET还具备快速开关速度，能够在高频应用中提供稳定可靠的性能。此外，其良好的热稳定性确保了在高温环境下也能保持正常运行。
其他主要优势包括：
- 超低导通电阻以降低功耗
- 高频开关能力
- 小型化封装，适合紧凑型设计
- 较宽的工作温度范围，适应多种使用场景
- 符合RoHS标准，环保无铅
这款MOSFET广泛应用于各种领域，如便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池保护电路、LED驱动电路等。具体来说，它常被用在智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器、蓝牙设备以及其他需要高效功率管理的消费类电子产品中。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装，LQP15MN3N9B02D也适用于工业控制、通信设备及汽车电子等领域的相关应用。
LQP15MN3N9B02C
LQP15MN3N9B02E
