时间：2025/5/22 12:01:12
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LQP15MN2N4B02D 是一款由 ROHM（罗姆）生产的低导通电阻 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用超小型 CSP（Chip Scale Package）封装，具有出色的开关性能和较低的导通损耗，适合用于需要高效能和节省空间的应用场景。
这种 MOSFET 的设计使其非常适合用在便携式电子设备、消费类电子产品以及其他对尺寸和效率要求较高的应用中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：ton=8ns，toff=18ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LQP15MN2N4B02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功率损耗并提高系统效率。
2. 超小型 CSP 封装设计，有助于减少 PCB 空间占用，适合紧凑型设计。
3. 快速开关能力，能够满足高频开关电路的需求。
4. 高可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理模块。
2. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. LED 驱动电路以及小型电机控制。
4. 电池供电设备中的保护电路，例如过流保护或短路保护。
5. 其他需要高效能和小体积解决方案的电子应用。
LQP15MN2N4B02E, LQP15MN2N4B02F
