时间：2025/6/3 10:52:03
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LQP15MN2N0B02D 是由罗姆（ROHM）生产的一款小型化、低导通电阻的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 USP-6B 封装形式，具有出色的开关性能和极低的导通电阻特性。由于其紧凑的尺寸和高效的性能，LQP15MN2N0B02D 广泛应用于便携式设备、电源管理电路以及需要高效率和小型化的场景。
该型号是 ROHM 的 LQ 系列 MOSFET 中的一员，旨在满足消费电子和工业应用对更高能效和更小空间设计的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（典型值）：27mΩ
栅极阈值电压：1.2V
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：USP-6B
LQP15MN2N0B02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 采用小型 USP-6B 封装，适合高密度 PCB 设计。
3. 快速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和负载开关。
4. 高可靠性，符合 AEC-Q101 标准，可应用于严苛环境。
5. 宽温度范围支持，能够在极端条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
LQP15MN2N0B02D 被广泛应用于各种需要高效功率转换和小型化设计的领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 可穿戴设备及 IoT 设备的电池管理系统。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
4. LED 驱动器和电机驱动器。
5. 工业控制设备中的信号切换。
6. 汽车电子中的电源管理模块。
LQP15MN2N0B02DTR, LQP15MN2N0B02DP
