时间：2025/5/8 14:06:17
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LQP03TN6N2H02D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的超小型、低导通电阻的 N 沣道开关 MOSFET，采用 USP-6B 封装形式。该器件适用于需要高效率和节省空间的应用场景，例如便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理电路。
由于其小尺寸和出色的电气性能，这款 MOSFET 在消费电子、通信设备和工业控制领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压：6V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极阈值电压（典型值）：1.1V
封装形式：USP-6B
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
LQP03TN6N2H02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. 超小型封装设计，适合紧凑型电路布局。
3. 高耐热性和宽广的工作温度范围，确保在各种环境下的稳定运行。
4. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。
2. 各种 DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 电池保护和充电管理系统。
4. 电机驱动和信号切换电路。
5. 数据通信接口保护与隔离电路。
LQP03TN6N2H02DSR
