时间：2025/5/8 15:24:18
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LQP03TN4N7H02D 是一款由 ROHM（罗姆）制造的低导通电阻、小型封装 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺，具备出色的开关性能和耐热性，适合应用于各种便携式设备和高效率电源管理电路中。
其采用 USP-6C 封装形式，具有紧凑的设计特点，能够满足空间受限应用的需求。由于其优秀的电气特性和稳定性，该芯片被广泛用于负载开关、DC-DC 转换器和电池保护等场景。
型号：LQP03TN4N7H02D
制造商：ROHM
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：USP-6C
最大漏源电压 Vds：40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
持续漏极电流 Id：4.1A
导通电阻 Rds(on)：7mΩ (在 Vgs=4.5V 时)
总功耗 Ptot：800mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LQP03TN4N7H02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 紧凑的 USP-6C 封装使其非常适合于需要节省空间的设计。
3. 高可靠性，在恶劣的工作条件下仍能保持稳定性能。
4. 支持较宽的工作温度范围，适应多种环境条件下的使用。
5. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
6. 提供优异的 ESD 保护能力，增强器件抗干扰性能。
LQP03TN4N7H02D 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关设计。
2. 移动设备及便携式设备的电源管理。
3. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
4. 各种电池供电系统的过流保护和短路保护。
5. LED 驱动电路以及其他低压控制电路。
6. 工业自动化设备中的信号切换与隔离任务。
LQP03TN4N7M02D, LQP03TN4N7K02D
