时间：2025/7/9 3:02:20
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LQN21A18NJ 和 LQW2BHN18NJ03L 是由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。这些器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景，具有低导通电阻、高切换速度和出色的热性能。它们的设计目标是满足高效能功率转换和小型化需求的设备。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：LFPAK56E（贴片式）
这些MOSFET采用先进的制造工艺，提供非常低的导通电阻以减少功率损耗，并且具有良好的热稳定性和耐热冲击能力。
低栅极电荷设计使其具备快速开关特性，从而提高效率并降低电磁干扰。
其紧凑型封装适合表面贴装技术，便于自动化生产和节省PCB空间。
此外，该系列器件支持高频率操作，非常适合现代电子设备中对能效和尺寸优化的要求。
广泛应用于笔记本电脑适配器、消费类电子产品中的电源管理模块、工业用电机控制电路以及汽车电子系统中的负载切换功能。
在通信设备领域，它们也常被用于多相位降压转换器以确保稳定的电压输出给处理器和其他关键组件。
由于其高性能指标和可靠性，这类MOSFET同样适用于太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的产品当中。
LQP11AN18NJ, LQR1AN18NJ
