时间：2025/7/11 15:44:52
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LQH4N271J04M00 是一款由罗姆（ROHM）半导体生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 CSP（Chip Scale Package）封装，适用于对空间要求较高的设计。其低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合用于电源管理、负载开关以及便携式电子设备中的高效能应用。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 27V，具有出色的导通效率和散热性能，同时支持大电流操作。通过优化的工艺技术，LQH4N271J04M00 在导通电阻和栅极电荷方面实现了良好的平衡，从而提高了整体系统效率。
最大漏源电压：27V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：CSP
工作频率：高达 2MHz
LQH4N271J04M00 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可降低功耗并提升效率。
2. 小尺寸 CSP 封装，适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 高可靠性设计，确保在严苛环境下的稳定运行。
5. 支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器和其他高频电路。
6. 提供优异的热性能，能够有效管理功率密度。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
LQH4N271J04M00 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。
2. 开关模式电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
3. 负载开关和电机驱动。
4. 电池保护和充电电路。
5. 工业自动化和通信设备中的高效功率转换模块。
6. 各类消费类电子产品中的节能方案设计。
LQH3N271J04M00, LQH4N201J04M00
