时间：2025/7/14 17:38:06
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LQG21NR27K10T是一款由罗姆（ROHM）生产的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型器件。该芯片采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，广泛应用于各种电源管理和功率转换场景。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
型号：LQG21NR27K10T
类型：N沟道MOSFET
封装：LFPAK56D
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：94A
Vgs（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：支持高频应用
结温范围：-55℃至+175℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
LQG21NR27K10T的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力（94A），适用于大电流应用场景。
3. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
5. 支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、负载开关等高速应用。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
LQG21NR27K10T主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器中的高效功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. LED驱动器中的电流调节。
7. 各种需要低损耗、高效率功率开关的应用场景。
LQG022R08K10T, LQG21NR28K10T
