时间：2025/4/29 19:18:22
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LQG15HSR12G02D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽式 MOSFET 系列。该器件采用 LFPAK56E 封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
该型号的设计旨在减少能量损耗并提高系统性能，其出色的热特性和电气特性使其成为众多功率转换应用的理想选择。
类型：MOSFET
封装：LFPAK56E
Vds（漏源极电压）：15V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：0.7mΩ
Id（持续漏极电流）：230A
栅极电荷（Qg）：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
LQG15HSR12G02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 230A 的持续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷 Qg 和较低的输入电容 Ciss。
4. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，最高结温可达 175℃。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 采用 LFPAK56E 封装，提供良好的散热性能和机械稳定性。
7. 产品无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
LQG15HSR12G02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、制动系统及逆变器模块。
4. 工业电机驱动与控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理电路。
6. 高效功率因数校正（PFC）电路设计。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，这款 MOSFET 特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
LQG15HVR12G02D, LQG15HSR10G02D
