时间：2025/6/14 19:06:55
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LQG15HS68NJ02D 是一款由 Rohm（罗姆）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 LFPAK8 封装形式。该器件主要应用于高效能开关电路、电机驱动以及各种需要低导通电阻和快速开关速度的场景。此型号具备出色的热性能和电气性能，能够满足高功率密度应用需求。
作为一款 N 沟道增强型 MOSFET，LQG15HS68NJ02D 的设计目标是实现更低的导通损耗和更高的系统效率。其独特的结构设计使得芯片在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，非常适合汽车电子、工业控制以及其他高性能应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：79A
导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ
栅极电荷(Qg)：39nC
输入电容(Ciss)：4320pF
总功耗(Ptot)：110W
封装形式：LFPAK8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 79A 的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，具有较低的栅极电荷和输入电容，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作，适用于严苛环境。
5. 小型化封装 LFPAK8 提供了优秀的散热性能，同时节省了 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计，适合现代绿色电子产品要求。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电动车辆(HEV/EV) 的电机驱动和电池管理系统(BMS) 中的关键组件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 高效 LED 驱动器和逆变器的设计与实现。
5. 充电器和适配器中的功率转换模块。
LQG15HS68NJC02D, LQG15HS68NJ02DS
