时间：2025/4/28 16:27:16
阅读：25
LQG15HS4N3S02D 是一款由 Rohm 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK8 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这款 MOSFET 的设计注重降低功耗并提高系统效率，其低 RDS(on) 特性使其在高频工作条件下表现优异。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：6.5A
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值，当 VGS=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总电容（Ciss）：2220pF（典型值）
开关时间：ton=7ns，toff=12ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK8
LQG15HS4N3S02D 提供了卓越的性能表现，特别是在低导通电阻方面。它的 RDS(on) 值仅为 1.5mΩ，这使得它在大电流应用中能够显著减少导通损耗。
此外，这款 MOSFET 具有非常小的封装尺寸，适合空间受限的设计需求。同时，其快速的开关特性和较低的栅极电荷也使其成为高频电路的理想选择。
由于具备较高的工作温度范围，该器件能够在恶劣环境下可靠运行，非常适合工业级或汽车级应用。整体上，LQG15HS4N3S02D 在效率、可靠性和易用性之间达到了良好的平衡。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
4. 电机驱动电路中的功率级开关
5. 便携式电子设备中的保护电路
6. 高效能 LED 驱动器中的开关元件
LQG15HS4N3S02D 凭借其低导通电阻和紧凑型封装，在这些应用中表现出色，能够有效降低系统的整体能耗。
LQG15HS4N3S02DSG, LQG15HS4N3S02DCT
