时间：2025/5/20 18:25:06
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LQG15HS3N9B02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的高效能、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备出色的开关特性和导通性能，适合用于高效率电源转换、电机驱动以及各种需要快速开关的应用场景。
其封装形式为 LFPAK88 封装，能够有效降低寄生电感和热阻，提升整体系统性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极阈值电压：1.8V
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
总功耗：320W
LQG15HS3N9B02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
4. 强大的热性能设计，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
7. 具备出色的雪崩耐量能力，适应严苛的工作环境。
LQG15HS3N9B02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器及辅助电机控制。
3. 工业设备中的伺服驱动和变频器控制。
4. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关元件。
LQG15HS3N9B02DS, LQG15HS3N9B02DP
