时间：2025/5/8 13:40:56
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LQG15HS3N0S02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的高功率 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-263-3 封装形式。此器件主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率功率转换场景，具有低导通电阻和出色的热性能。其设计注重高效能和小型化，适合各种工业及消费类电子设备的应用需求。
该型号属于罗姆的 Power MOSFET 系列，以高可靠性、高性能和低功耗为特点。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：130nC
输入电容：1780pF
开关时间：ton=95ns, toff=45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
LQG15HS3N0S02D 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗并提高系统效率。此外，其大电流承载能力和坚固的封装结构使其在严苛环境下仍能保持稳定运行。
此 MOSFET 的快速开关特性有助于降低开关损耗，同时减少电磁干扰（EMI）。另外，该器件支持高温操作，适应范围广，非常适合需要高可靠性的应用场合。
TO-263-3 封装提供良好的散热性能，确保在高功率密度条件下长期稳定运行。其引脚布局便于 PCB 设计与安装，简化了制造工艺流程。
LQG15HS3N0S02D 广泛应用于各种功率转换领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化设备
5. 电动工具
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车中的电池管理系统 (BMS)
其优异的电气特性和可靠性使得该器件成为许多高性能电力电子系统的理想选择。
LQG15HS3N0S02DS1
LQG15HS3N0S02DS2
IRFB4110TRPBF
FDP067N06L
