时间：2025/5/8 11:14:51
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LQG15HS10NJ02D 是一款由 Rohm 公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用超小型 LGA 封装设计。该芯片具有高耐压和低导通电阻的特点，专为需要高效能、小体积的应用场景而设计。它广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备中的开关电源、电机驱动等电路中。
由于其卓越的电气特性和紧凑的封装尺寸，LQG15HS10NJ02D 成为了便携式电子产品及空间受限应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：8nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：LGA-4
LQG15HS10NJ02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 160mΩ，从而显著降低传导损耗并提升效率。
2. 高击穿电压 (100V)，确保器件在较高电压环境下稳定运行。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构设计。
4. 紧凑型 LGA-4 封装，节省 PCB 占用面积，并改善散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保且满足国际法规要求。
6. 支持宽范围的工作温度 (-55℃ 至 +150℃)，适用于恶劣环境下的使用。
LQG15HS10NJ02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (Switching Power Supply) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率控制器件。
5. 消费类电子产品，如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
6. 工业自动化设备中的电源模块和信号切换组件。
7. 通信设备中的高效电源管理单元。
LQG15HS10NJC02D, SPM3030CS-06E, FDMT8602
