时间：2025/5/19 18:14:05
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LQG15HN6N8J02D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的 N 沣道艗晶体管（N-MOSFET），采用 LFPAK88 封装形式。该器件主要用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用场合，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能。其设计旨在满足高密度贴片组装需求，并提供卓越的电气性能。
该 MOSFET 的工作电压范围较宽，能够承受较高的漏源电压，同时具有较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高整体效率。此外，LFPAK88 封装形式使其在散热性能和电气连接方面表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：147A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：0.65mΩ
总栅极电荷：325nC
输入电容：2950pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LQG15HN6N8J02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
3. LFPAK88 封装支持出色的散热性能，便于高效热量管理。
4. 工作温度范围广，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 快速开关性能，减少开关损耗并优化高频应用表现。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保性。
这款 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
LQG15HNL6N8T02D, LQG15HN6N8J02E
