时间：2025/5/20 20:07:47
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LQG15HN2N0S02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET，采用 HSOP8 封装。该器件主要适用于需要高效开关和低功耗的应用场景，例如电源管理模块、电机驱动器、DC-DC 转换器以及负载开关等。其优化的电气特性使其在高频工作条件下具有出色的性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：2.0mΩ
栅极电荷（典型值）：16nC
总热阻（结到环境）：115°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：HSOP8
LQG15HN2N0S02D 的核心优势在于其超低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它具备较高的电流承载能力和较宽的工作温度范围，确保了在极端条件下的稳定运行。
该产品还具有快速开关速度和低栅极电荷，从而降低了开关损耗，并在高频应用中表现出色。同时，其坚固的封装设计增强了散热性能和可靠性，非常适合对能效要求较高的应用环境。
这款功率 MOSFET 广泛用于多种工业和消费类电子设备中的关键电路，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动和控制
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 高效负载开关
- 过流保护电路
由于其卓越的电气特性和可靠性，LQG15HN2N0S02D 成为许多高性能应用的理想选择。
LQG15HN2N0T02D
