时间：2025/7/16 13:45:34
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LQG15HHR10H02 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率半导体器件，属于沟槽型 MOSFET。该型号主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器等场景中。它具有较低的导通电阻和较高的效率，能够显著降低能量损耗，适用于对能效要求较高的设计。
该芯片采用了先进的制造工艺，具备出色的热性能和耐用性，同时封装形式紧凑，便于在有限的空间内进行高效布局。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：10A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=18ns, toff=27ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
LQG15HHR10H02 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 2.5mΩ，这使其在高电流应用中表现出色，能够减少功耗并提高系统效率。此外，该芯片还具备快速的开关速度，栅极电荷较小，有助于降低开关损耗。
在可靠性方面，这款 MOSFET 能够承受较高的结温（+175℃），并支持较宽的工作温度范围，适合在恶劣环境下使用。其沟槽结构设计进一步优化了电气性能，并提供了更好的散热能力。
该产品采用 TO-263 封装，引脚布局合理，方便焊接和安装，同时兼容自动化生产线。
LQG15HHR10H02 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC/DC 转换器
4. 逆变器和变频器
5. 充电器解决方案
6. 工业自动化控制设备
由于其高性能和高可靠性，这款 MOSFET 非常适合需要高效率和高稳定性的应用场景。
LQG15HHR10K02, IRFZ44N, FDP18N10E
