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LQBRL2012T101M 发布时间 时间:2025/12/27 10:31:10 查看 阅读:21

LQBRL2012T101M是村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的一款多层陶瓷射频电感器,属于LQBR系列。该系列电感专为高频应用设计,具有小型化、高Q值和低直流电阻等特点,广泛应用于无线通信设备中的射频匹配、滤波和扼流电路中。型号中的“LQBRL2012”表示其封装尺寸为2012(即2.0mm x 1.25mm),而“T101M”则表示其标称电感值为100μH(101表示10×10^1 = 100μH),M代表精度等级为±20%。该器件采用先进的陶瓷基板和内部电极结构,能够在高频下保持稳定的电气性能,同时具备良好的温度稳定性和机械强度。LQBRL2012T101M主要用于便携式无线设备,如智能手机、平板电脑、蓝牙模块、Wi-Fi模块和物联网(IoT)设备等,适用于要求高可靠性和高性能的射频前端电路设计。
  LQBRL系列电感采用绕线型多层陶瓷技术,在保证小尺寸的同时实现了较高的自谐振频率(SRF)和优良的Q值特性,使其在GHz频段内表现出色。此外,该器件符合RoHS指令要求,支持无铅回流焊工艺,适合现代自动化贴片生产线使用。由于其优异的高频特性和稳定性,LQBRL2012T101M在射频功率放大器输出匹配网络、天线调谐电路以及LC谐振电路中发挥着关键作用。

参数

品牌:Murata
  型号:LQBRL2012T101M
  封装/外壳:2012(2.0mm × 1.25mm)
  电感值:100μH
  电感公差:±20%
  直流电阻(DCR):典型值约3.6Ω
  额定电流(Ir):约80mA(基于温升或饱和电流定义)
  自谐振频率(SRF):最低约37MHz,典型可达45MHz以上
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  安装类型:表面贴装(SMD)
  磁芯材料:陶瓷基多层结构
  屏蔽类型:非屏蔽(开放式磁路设计)
  焊接方式:适用于回流焊(最高耐温260°C,短时)

特性

LQBRL2012T101M作为村田LQBR系列中的高频绕线型片式电感,具备出色的射频性能和可靠性,特别适用于对空间和效率要求严苛的无线通信系统。其核心优势之一是采用了高精度激光修整技术和多层陶瓷共烧工艺,确保了电感值的高度一致性与温度稳定性。在高频工作条件下,该器件展现出较高的品质因数(Q值),在典型测试频率下(如50MHz),Q值可达到50以上,显著降低了信号传输过程中的能量损耗,提高了射频电路的整体效率。此外,其较低的直流电阻(DCR)有助于减少功耗和发热,延长电池供电设备的续航时间。
  该电感器的结构设计优化了电磁场分布,减少了外部干扰和邻近元件之间的耦合效应,从而提升了系统的抗干扰能力。尽管为非屏蔽结构,但其磁场泄漏控制良好,适用于高密度PCB布局环境。LQBRL2012T101M还具备优异的机械强度和热循环耐久性,能够承受多次温度变化而不发生开裂或性能退化,适应恶劣的工作环境。其自谐振频率(SRF)较高,意味着在更宽的频率范围内能保持接近理想的电感行为,避免因接近谐振点而导致阻抗急剧变化的问题。
  另一个重要特性是其良好的频率响应特性,使其可用于构建高性能LC滤波器或阻抗匹配网络,尤其适合用于蓝牙、ZigBee、LoRa等低功耗无线协议的射频前端。此外,该器件支持高速自动贴装设备进行装配,提高了生产效率和良率。村田对该系列产品进行了严格的老化筛选和可靠性测试,包括高温高湿存储、温度循环、振动测试等,确保长期使用的稳定性。综合来看,LQBRL2012T101M是一款集小型化、高效能和高可靠性于一体的射频电感解决方案,满足现代无线电子设备对高性能无源元件的需求。

应用

LQBRL2012T101M主要应用于各类高频无线通信系统中,特别是在需要精确电感值和高Q特性的射频电路部分。常见应用场景包括移动终端设备中的射频匹配网络,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的蓝牙模块、Wi-Fi射频前端以及GPS接收链路。在这些系统中,该电感常用于构建π型或T型匹配网络,以实现天线与收发芯片之间的最佳阻抗匹配,提升信号发射效率和接收灵敏度。
  此外,它也广泛用于无线传感器网络、智能家居设备、工业物联网(IIoT)节点等低功耗无线通信装置中,配合射频芯片完成2.4GHz ISM频段或其他专用频段的信号处理任务。在无线充电系统中,LQBRL2012T101M可用于谐振补偿电路,帮助提高能量传输效率。在射频识别(RFID)读写器和标签电路中,该电感参与构成谐振回路,确保载波频率的稳定振荡与高效耦合。
  由于其具备一定的电流承载能力和良好的温度稳定性,也可用于DC-DC转换器中的滤波环节,尤其是在噪声敏感的模拟电源域中作为LC滤波器的一部分,抑制开关噪声向射频部分传导。在音频编解码器或传感器供电路径中,可用作去耦扼流圈,提供干净的偏置电压。总之,该器件凭借其紧凑尺寸和优异高频性能,成为现代高集成度电子产品中不可或缺的关键无源元件之一。

替代型号

LQW2BHN101M05D
  LQW2BHN101M55D
  LQM2HPN101M00D

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