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LQA03TC600 发布时间 时间:2025/7/21 20:02:45 查看 阅读:4

LQA03TC600 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具备低导通电阻和高开关性能,适用于如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):3A
  漏极-源极击穿电压(Vds):60V
  导通电阻(Rds(on)):最大值为60mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V至2.5V
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

LQA03TC600 的核心优势在于其低导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了罗姆先进的沟槽结构技术,使其在小尺寸封装中仍能保持高性能。
  此外,LQA03TC600 具备优异的热稳定性,能够承受较高的工作温度,确保在严苛环境下的可靠性。其低栅极电荷(Qg)也使得开关损耗显著降低,适用于高频开关应用。
  该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过载保护性能,提升了整体系统的安全性和稳定性。SOT-23封装形式则有助于节省PCB空间,适用于紧凑型设计。

应用

LQA03TC600 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. **DC-DC转换器**:用于升压、降压或反相拓扑结构中,提高能量转换效率。
  2. **负载开关**:作为开关元件,用于控制电池供电设备中的电源路径管理。
  3. **电源管理单元(PMU)**:在多路输出电源系统中实现高效的功率分配。
  4. **手持设备与穿戴设备**:因其小封装和低功耗特性,适用于对空间和功耗敏感的设计。
  5. **电机驱动与LED驱动**:用于控制小型电机或LED照明的功率开关。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD14N02LT4G

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LQA03TC600产品

LQA03TC600参数

  • 特色产品Qspeed? Series Advanced Diodes
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列Qspeed™
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)3.1V @ 3A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)13ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商设备封装TO-220AC
  • 包装管件
  • 其它名称596-1358-5