LQ5AW136T 时间：2025/8/28 5:01:41 阅读：19

LQ5AW136T 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽式结构技术，旨在提供高效率和低导通电阻。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用中。LQ5AW136T 采用紧凑型封装（如 TSMT4 或 SOT-23），适用于高密度 PCB 设计，并具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　漏极电流 Id：300mA（最大）
　　导通电阻 Rds(on)：1.3Ω @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻 Rds(on)：1.8Ω @ Vgs = 2.5V
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

特性

LQ5AW136T 的核心优势在于其低导通电阻和小型封装，使得它非常适合用于电池供电设备和便携式电子产品中的开关控制。由于采用了 ROHM 的先进沟槽技术，该 MOSFET 在低电压驱动下（如 2.5V 至 4.5V）仍能保持良好的导通性能，从而降低了系统功耗并提高了能效。此外，LQ5AW136T 具有优异的热稳定性，在高负载条件下仍能维持可靠运行。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。
　　该器件的封装形式为 SOT-23（也称为 SC-59），具有良好的热管理能力，适合表面贴装工艺（SMT），从而简化了制造流程并提高了生产效率。LQ5AW136T 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业和消费类应用环境。此外，该器件符合 RoHS 指令，支持环保设计。

应用

LQ5AW136T 常用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它在 DC-DC 转换器中作为同步整流器或负载开关使用，能够有效降低功耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 还可用于电池保护电路、LED 驱动电路、传感器接口电路以及各类低电压开关控制应用。由于其小型封装和高可靠性，LQ5AW136T 也广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中。