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LQ5AW136T 发布时间 时间:2025/8/28 5:01:41 查看 阅读:9

LQ5AW136T 是一款由 ROHM(罗姆)半导体公司制造的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽式结构技术,旨在提供高效率和低导通电阻。该器件广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用中。LQ5AW136T 采用紧凑型封装(如 TSMT4 或 SOT-23),适用于高密度 PCB 设计,并具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:20V
  栅源电压 Vgs:±12V
  漏极电流 Id:300mA(最大)
  导通电阻 Rds(on):1.3Ω @ Vgs = 4.5V
  导通电阻 Rds(on):1.8Ω @ Vgs = 2.5V
  功率耗散:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

LQ5AW136T 的核心优势在于其低导通电阻和小型封装,使得它非常适合用于电池供电设备和便携式电子产品中的开关控制。由于采用了 ROHM 的先进沟槽技术,该 MOSFET 在低电压驱动下(如 2.5V 至 4.5V)仍能保持良好的导通性能,从而降低了系统功耗并提高了能效。此外,LQ5AW136T 具有优异的热稳定性,在高负载条件下仍能维持可靠运行。其快速开关特性也有助于减少开关损耗,提升整体系统效率。
  该器件的封装形式为 SOT-23(也称为 SC-59),具有良好的热管理能力,适合表面贴装工艺(SMT),从而简化了制造流程并提高了生产效率。LQ5AW136T 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种工业和消费类应用环境。此外,该器件符合 RoHS 指令,支持环保设计。

应用

LQ5AW136T 常用于便携式电子设备中的电源管理电路,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它在 DC-DC 转换器中作为同步整流器或负载开关使用,能够有效降低功耗并提高系统效率。此外,该 MOSFET 还可用于电池保护电路、LED 驱动电路、传感器接口电路以及各类低电压开关控制应用。由于其小型封装和高可靠性,LQ5AW136T 也广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子系统中。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N3904, FDV301N, Si2302DS

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