LQ10D42 时间：2025/8/28 4:24:49 阅读：26

LQ10D42是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，主要用于高电压和高电流的应用场景，例如电源管理、工业控制以及电机驱动等。这款晶体管采用先进的硅技术制造，具备优良的导通和截止性能，同时具备较高的热稳定性和可靠性。LQ10D42通常封装在TO-220或类似的大功率封装中，以确保在高功率运行时的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：42A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.025Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

LQ10D42具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够有效地降低功率损耗，提高系统效率。此外，该晶体管还具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。由于采用了先进的硅技术，LQ10D42在开关过程中具有快速的响应能力和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其坚固的封装设计和良好的热管理性能，确保了在严苛环境下长时间运行的可靠性。此外，LQ10D42还具有较高的抗静电能力（ESD）和良好的短路保护性能，能够在突发的电气故障中保持器件的完整性。

应用

LQ10D42广泛应用于需要高电流和高电压控制的场景，如直流电机控制、电源转换器（DC-DC Converter）、电池管理系统、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。在汽车电子领域，它常用于电动助力转向系统（EPS）、电动泵控制和车载充电器等关键部件中。此外，在家用电器如变频空调和高端电磁炉中，LQ10D42也常被用作功率开关元件。