LQ10D42是一款由东芝(Toshiba)生产的功率晶体管,主要用于高电压和高电流的应用场景,例如电源管理、工业控制以及电机驱动等。这款晶体管采用先进的硅技术制造,具备优良的导通和截止性能,同时具备较高的热稳定性和可靠性。LQ10D42通常封装在TO-220或类似的大功率封装中,以确保在高功率运行时的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):42A
导通电阻(RDS(on)):约0.025Ω(典型值)
栅极电压(VGS):±20V
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
LQ10D42具有低导通电阻的特性,这使得它在导通状态下能够有效地降低功率损耗,提高系统效率。此外,该晶体管还具备较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定工作。由于采用了先进的硅技术,LQ10D42在开关过程中具有快速的响应能力和较低的开关损耗,适用于高频开关应用。其坚固的封装设计和良好的热管理性能,确保了在严苛环境下长时间运行的可靠性。此外,LQ10D42还具有较高的抗静电能力(ESD)和良好的短路保护性能,能够在突发的电气故障中保持器件的完整性。
LQ10D42广泛应用于需要高电流和高电压控制的场景,如直流电机控制、电源转换器(DC-DC Converter)、电池管理系统、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。在汽车电子领域,它常用于电动助力转向系统(EPS)、电动泵控制和车载充电器等关键部件中。此外,在家用电器如变频空调和高端电磁炉中,LQ10D42也常被用作功率开关元件。
SiHF42N10-T2-E3, FDP42N10