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LPO3310-102MLD 发布时间 时间:2025/12/27 23:12:24 查看 阅读:22

LPO3310-102MLD 是由Littelfuse公司生产的一款多层压敏电阻(MLV,Multilayer Varistor),主要用于表面贴装(SMD)应用中的瞬态电压抑制和静电放电(ESD)保护。该器件基于陶瓷材料技术,具有优异的响应速度和高可靠性,适用于需要紧凑封装和高性能保护的电子电路。LPO3310-102MLD 的设计目标是为敏感的半导体器件提供快速响应的过压保护,尤其是在便携式消费类电子产品中广泛应用,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及其他对空间和性能要求较高的应用场景。该元件能够在极短时间内(纳秒级)响应瞬态过电压事件,并将电压钳位于安全水平,从而防止下游电路受到损害。其多层结构不仅提升了能量吸收能力,还改善了热稳定性和长期可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适合无铅焊接工艺。LPO3310-102MLD 采用小尺寸封装(通常为0402或类似尺寸),便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的机械强度和耐湿性,确保在复杂环境下的稳定运行。

参数

型号:LPO3310-102MLD
  制造商:Littelfuse
  器件类型:多层压敏电阻(MLV)
  工作电压:6V
  钳位电压(典型):14V @ 1A
  峰值脉冲电流(8/20μs):5A
  最大能量吸收能力:0.1J
  电容值(典型):100pF @ 1kHz
  封装尺寸:1005(0402公制)
  温度范围:-55°C 至 +125°C
  失效模式:开路保护机制
  ESD 耐受能力:±15kV(接触放电,IEC 61000-4-2)

特性

LPO3310-102MLD 具备出色的瞬态电压抑制能力,其核心特性之一是极快的响应时间,通常在亚纳秒级别,这使得它能够迅速应对突发的静电放电(ESD)事件或其他瞬态过电压冲击,有效保护后端敏感集成电路。这种快速响应得益于其内部多层陶瓷结构设计,该结构通过交替堆叠金属电极与半导体陶瓷材料形成非线性伏安特性,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,几乎不影响电路运行;而一旦电压超过阈值,立即转变为低阻抗状态,将多余能量导入地线。该器件的钳位电压控制精准,能够在承受高达5A(8/20μs波形)的峰值电流时仍将电压限制在约14V左右,避免对低压逻辑电路造成损伤。其电容值约为100pF,在高频信号线路中仍能保持良好的信号完整性,因此特别适用于高速数据接口如USB、HDMI、SD卡槽等的ESD防护。
  另一个显著特点是其小型化封装与高集成度兼容性。LPO3310-102MLD 采用1005(即0402英寸制)超小型表面贴装封装,占用PCB面积极小,非常适合现代便携式电子设备对空间的高度要求。尽管体积微小,但其结构优化提升了热管理性能,可在-55°C至+125°C宽温范围内稳定工作,适应恶劣环境条件。此外,该器件具备优异的循环耐久性,可多次承受ESD冲击而不发生性能退化,延长了系统寿命。Littelfuse在其制造过程中采用了严格的品质控制流程,确保产品具有一致性和高可靠性。该器件还支持回流焊工艺,符合无铅焊接标准,满足当前绿色电子制造的需求。其失效模式被设计为“开路”模式,意味着在极端过载情况下不会导致短路故障,从而提高系统的整体安全性。

应用

LPO3310-102MLD 主要应用于各类需要高效静电放电(ESD)保护的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB接口、音频插孔、SIM卡槽、TF卡接口以及LCD模块连接器等位置,用于防止人体接触或电缆插拔过程中产生的高压静电损坏内部芯片。此外,在笔记本电脑和超极本的数据端口(如HDMI、DisplayPort、耳机输出)中也广泛部署此类器件以提升系统鲁棒性。在工业控制领域,该压敏电阻可用于保护低电压传感器信号线免受外界干扰和瞬态浪涌的影响。由于其低电容特性,LPO3310-102MLD 非常适合用于高速数字通信线路,例如I2C、SPI、UART等总线接口的防护,既能提供足够的保护等级,又不会引起明显的信号衰减或失真。在汽车电子系统中,虽然其功率容量有限,但在车载信息娱乐系统的辅助接口(如USB充电口)中也有应用潜力。此外,医疗电子设备中对可靠性和安全性的高要求使其成为某些低能量瞬态防护场景的理想选择。总之,任何需要在有限空间内实现高性能、高可靠性的过压保护场合,都是LPO3310-102MLD 的适用范围。

替代型号

SP0502BAHTF

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