类型：高压半桥栅极驱动器
　　通道数：2（高边 + 低边）
　　最大供电电压：20V
　　输出电流能力（峰值）：±0.8A
　　输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS
　　高边侧浮动电压：最高达1200V
　　工作频率：最高支持1MHz开关频率
　　传播延迟：典型值约100ns
　　上升时间（typ）：约30ns（1000pF负载）
　　下降时间（typ）：约25ns（1000pF负载）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离耐压能力：符合600V RMS持续工作隔离要求
　　封装类型：SO-16N 或类似表面贴装封装
　　静态电流：典型值小于1mA（每通道）
　　欠压锁定（UVLO）阈值：高边与低边独立设置，典型值约为8.5V/7.5V（开启/关闭）

LPHV0001Z具备卓越的电气隔离性能和抗干扰能力，适用于高噪声工业环境下的功率变换系统。其双通道结构允许独立控制高边和低边开关器件，特别适合半桥拓扑结构应用。芯片内部集成了电平位移电路，使得高边驱动能够在浮动电源条件下正常工作，无需外部复杂电路即可实现自举或变压器耦合供电方式的支持。此外，该器件具有非常高的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在快速电压变化（dV/dt）环境下也能保证信号完整性，防止误触发导致上下桥臂直通短路。
　　为了增强系统安全性，LPHV0001Z内置了多项保护机制，包括但不限于欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，避免因驱动不足造成功率管非饱和导通而损坏；同时每个通道都具备独立的UVLO检测，提高了系统的容错能力。输出级采用图腾柱结构，提供较强的拉电流和灌电流能力，可有效缩短功率器件的开关过渡时间，降低开关损耗并提升整体效率。
　　该芯片还优化了传播延迟匹配性，高边与低边之间的延迟差较小，有利于精确控制死区时间，从而减少交叉导通风险。输入端兼容标准数字逻辑信号，简化了与微控制器、DSP或PWM控制器的接口设计。所有这些特性共同作用，使LPHV0001Z成为中高功率电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案，尤其适用于对可靠性、效率和紧凑性有严格要求的应用场合。

LPHV0001Z广泛应用于各类需要高压半桥驱动的电力电子系统中。在工业领域，常用于变频器、伺服驱动器和感应加热设备中的IGBT模块驱动；在新能源方面，被大量采用在光伏逆变器中，作为DC-AC转换级的核心驱动元件，确保太阳能发电系统的高效能量转换。此外，在电动汽车基础设施中，该芯片可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的PFC（功率因数校正）及DC-DC变换器部分，驱动高频开关管实现高效电能管理。
　　在通信电源与服务器电源系统中，LPHV0001Z也扮演着重要角色，尤其是在LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑中，用于驱动同步整流或主开关器件。由于其具备良好的热稳定性与宽温工作范围，可在恶劣环境下长期稳定运行，因此也被用于铁路牵引系统、智能电网设备以及航空电子电源系统等高可靠性要求的领域。
　　得益于其小型化封装和高集成度，LPHV0001Z有助于缩小电源模块体积，提高功率密度，满足现代电子产品向轻薄化、高效化发展的趋势。同时，其易于布局的设计特点降低了PCB布线难度，减少了电磁干扰（EMI）问题的发生概率，进一步提升了终端产品的电磁兼容性表现。

L6389D
　　IRS21844
　　UCC27712