类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：80A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：8.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 (Rds(on))：11mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散 (Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：D2PAK

LPB3408LT1G MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 8.5mΩ，而在 Vgs=4.5V 时也保持在 11mΩ 的低水平，这使得该器件适用于低电压驱动电路。该 MOSFET 采用了先进的 Trench 工艺技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗。其 D2PAK 封装具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　此外，该器件的最大漏极电流为 80A，支持在高电流负载下稳定运行。最大漏源电压为 30V，适用于多种中低压功率转换应用。其 ±20V 的栅极电压耐受能力提高了在高频开关应用中的稳定性，并降低了栅极驱动电路的设计难度。该 MOSFET 还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好性能，适合用于汽车电子、工业控制和电源管理等要求较高的场合。

LPB3408LT1G 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及各种高功率电子设备。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换系统。该器件也常用于服务器电源、通信设备电源、LED 驱动器和消费类电子产品中的功率开关电路。此外，由于其优异的热性能，该 MOSFET 也适用于高温环境下的工业控制系统和汽车电子应用。

IRF3710, FDP3408, NTD3408NT1G