LP211DR 是一款低功耗、高精度的运算放大器,专为需要低电源电流和高性能的应用设计。该芯片具有极低的输入偏置电流和高的开环增益,适合用于电池供电设备以及对功耗敏感的精密信号调节系统。
LP211DR 采用双极性晶体管工艺制造,能够提供出色的直流和交流性能,同时保持较低的功耗。其封装形式为 SOIC-8 和 DIP-8,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。
电源电压:±2V 至 ±18V
输入偏置电流:最大 2nA(在 25°C)
输入失调电压:最大 3mV(在 25°C)
电源电流:每个放大器 350μA(典型值)
增益带宽积:1MHz
压摆率:0.3V/μs
共模抑制比:90dB(在 1kHz)
LP211DR 具有以下主要特性:
1. 极低的输入偏置电流使其非常适合高阻抗传感器应用。
2. 高开环增益和低失调电压确保了信号的高精度放大。
3. 工作电源电压范围宽,适用于多种供电场景。
4. 低功耗设计使其成为便携式设备的理想选择。
5. 温度稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
6. 提供 SOP 和 DIP 封装,便于 PCB 设计和安装。
LP211DR 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化中的信号调理电路。
2. 医疗设备,例如心电图仪和血压监测仪。
3. 便携式电子设备,如手持测量仪器。
4. 数据采集系统中的模拟前端。
5. 音频信号放大和处理。
6. 电池供电设备中的低功耗放大器应用。
OPA27、OPA211、TLV271