类型：单通道隔离式栅极驱动器
　　输入侧电源电压（VDD1）：2.7 V 至 5.5 V
　　输出侧电源电压（VDD2）：9 V 至 20 V
　　峰值输出电流：2.5 A（拉电流和灌电流）
　　隔离电压：5000 V RMS（1分钟，符合UL 1577）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150 kV/μs（典型值）
　　传播延迟：60 ns（典型值）
　　脉冲宽度失真：< 15 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8（窄体）
　　隔离额定值：VIORM = 1207 VPEAK，符合IEC 60950-1、IEC 62368-1标准
　　上升时间（1000 pF负载）：10 ns（典型值）
　　下降时间（1000 pF负载）：10 ns（典型值）
　　电源电压（VDD2 UVLO阈值）：约8.2 V（启用），7.5 V（关闭）

LOC112S的核心特性之一是其基于电容隔离技术的高可靠性信号传输机制。该芯片在输入与输出之间采用了高耐压电容作为隔离屏障，能够承受高达5000 V RMS的隔离电压，并满足UL、IEC和VDE等多种国际安全认证标准。这种隔离结构不仅提供了优异的电气隔离性能，还能有效阻断地环路噪声，防止高压侧故障影响低压控制电路，从而显著提升系统的安全性与稳定性。
　　另一个关键特性是其高共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值达到150 kV/μs。这一性能使其在高dv/dt环境下仍能保持信号完整性，避免因电压突变引起的误触发或逻辑错误。这对于工作在高频开关环境下的应用（如太阳能逆变器或电机控制器）至关重要。
　　LOC112S具备快速且对称的开关响应能力，传播延迟仅为60 ns，脉冲宽度失真小于15 ns，确保了上下桥臂驱动信号的高度同步性，有助于减少死区时间并优化效率。其输出级可提供高达2.5 A的峰值拉/灌电流，能够快速充放电功率器件的栅极电容，实现高效开关，降低开关损耗。
　　该芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，当VDD2电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止IGBT或MOSFET工作在线性区导致过热损坏。此外，LOC112S无需外部自举二极管或电荷泵电路，简化了高边驱动设计，降低了BOM成本。
　　LOC112S还具备良好的热稳定性与长期可靠性，采用SOIC-8封装，兼容标准贴片工艺，便于自动化生产。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。整体设计注重功能安全与系统鲁棒性，是现代高效率功率转换系统中的理想选择。

LOC112S广泛应用于需要电气隔离和高性能栅极驱动的各种电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它常用于三相逆变器中驱动上桥臂IGBT或MOSFET，确保控制信号与高压主电路之间的安全隔离，同时提供足够的驱动电流以实现快速开关，降低导通损耗和热应力。
　　在开关电源（SMPS）设计中，尤其是LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中，LOC112S可用于驱动高压侧开关管，其低传播延迟和高CMTI特性有助于提高电源效率和电磁兼容性（EMC）。由于其无需自举电路，特别适合高占空比或连续导通模式下的应用。
　　在可再生能源系统中，如光伏（PV）微逆变器或储能系统中的DC-DC转换器，LOC112S能够可靠地驱动SiC或GaN功率器件，充分发挥宽禁带半导体的高频高效优势。其高隔离电压等级也符合光伏系统对绝缘耐压的严格要求。
　　此外，该芯片适用于不间断电源（UPS）、伺服驱动器、电动汽车车载充电器（OBC）以及工业机器人等高端设备。在这些应用中，系统必须在高噪声、高温或高湿度环境下长期稳定运行，LOC112S的坚固设计和多重保护机制能够有效保障系统安全。
　　LOC112S还可用于医疗电源或测试测量设备中，其中电气隔离不仅是性能需求，更是安全法规的强制要求。其符合多项国际安全标准的特点，使得终端产品更容易通过认证流程，加快上市时间。总体而言，LOC112S是一款通用性强、性能优越的隔离栅极驱动器，适用于从消费级到工业级的多种高可靠性功率控制场景。

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　　UCC21520
　　SIC1182K