时间：2025/8/13 6:10:50
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LNZ9F27VST5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，适用于多种电源转换应用。
类型：N 沟道
最大漏极电流（ID）：1.0 A
最大漏源电压（VDS）：20 V
最大栅源电压（VGS）：12 V
导通电阻（RDS(on)）：270 mΩ @ VGS = 4.5 V
导通电阻（RDS(on)）：350 mΩ @ VGS = 2.5 V
功率耗散（PD）：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
LNZ9F27VST5G MOSFET 采用先进的 Trench 技术，能够在低电压驱动条件下提供出色的性能。其低导通电阻特性使其在开关应用中表现出较低的导通损耗，从而提高整体效率。该器件还具有快速开关速度，使其非常适合高频应用。此外，其低栅极电荷（Qg）特性减少了驱动电路的负担，进一步提高了系统的响应速度。
这款 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够适应较宽的工作温度范围。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。这些特性使得 LNZ9F27VST5G 在电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制应用中表现出色。
LNZ9F27VST5G MOSFET 主要用于需要低电压控制和高效能的小型电源管理系统。常见的应用包括便携式电子设备的电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路以及各种低功耗开关电路。此外，它也适用于需要高效能和小尺寸封装的嵌入式系统设计。
2N7002, BSS138
