LNZ9F18VST5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款低电压、低功耗、高精度的电压基准芯片。该器件采用先进的带隙电压基准技术,提供稳定的1.8V输出电压,适用于高精度模拟和混合信号电路的应用。
输出电压:1.8V
初始精度:±0.1%(典型值)
温度漂移:5 ppm/°C(典型值)
工作电压范围:1.8V 至 5.5V
工作电流:典型值 40 μA
封装类型:SOT-23-5
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
LNZ9F18VST5G 具备极高的初始精度和温度稳定性,是许多高精度测量和控制系统中的关键组件。该器件的低功耗特性使其非常适合电池供电设备和便携式应用。
该电压基准芯片采用了带隙电压基准设计,能够在宽温度范围内保持稳定的输出电压。其低温度漂移特性(5 ppm/°C)确保了在不同温度条件下依然能够提供高精度的参考电压。
此外,LNZ9F18VST5G 的工作电压范围较宽,支持从1.8V到5.5V的输入电压,使其能够兼容多种电源管理系统和电路设计。该器件的工作电流仅为40 μA,显著降低了功耗,适合对能耗敏感的应用场景。
在封装方面,LNZ9F18VST5G 使用 SOT-23-5 小型封装,便于在高密度 PCB 设计中使用,并且具备良好的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,满足工业级和汽车级应用的需求。
LNZ9F18VST5G 主要用于需要高精度电压参考的模拟和混合信号电路中,例如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、传感器信号调理电路、精密测量仪器以及便携式电子设备。由于其低功耗和高稳定性,该器件也非常适合用于电池供电系统、无线通信设备和汽车电子控制系统。
LM4040AIM5-1.8Q1, MAX6033ASA18T1G