类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　导通电阻 Rds(on)：0.013 Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：0.017 Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

LNZ8F13VT5G 的核心优势在于其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件支持高达 10A 的连续漏极电流，并在 Vgs=10V 和 Vgs=4.5V 下均具有优异的导通性能，适用于多种栅极驱动电压的设计。此外，该 MOSFET 具有快速的开关速度，可降低开关损耗，从而在高频开关电源中表现出色。
　　该器件采用 TSOP 封装，具备良好的热管理和空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。其 ±20V 的栅源电压耐受能力增强了器件在高压瞬态环境下的可靠性。LNZ8F13VT5G 还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　此 MOSFET 内部结构优化，具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有利于高频开关操作并减少驱动电路的负担。其栅极电荷（Qg）较低，进一步提升了动态性能，使其适用于同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统等应用。

LNZ8F13VT5G 主要应用于需要高效功率转换和快速开关性能的电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电源管理单元、笔记本电脑和服务器电源系统、电池供电设备以及汽车电子系统等。
　　在 DC-DC 转换器中，LNZ8F13VT5G 可作为主开关或同步整流开关使用，以提高整体转换效率；在负载开关应用中，该器件可实现快速的电源控制，降低待机功耗；在电机控制中，它可用于 H 桥结构实现正反转控制；在汽车电子系统中，该器件适用于各种电源管理与控制电路，提供高可靠性和高效率的解决方案。

Si4410BDY, IRF7413, NDS8858, FDS6680, AO4406