时间：2025/8/13 19:23:29
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LNZ8F10VT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于各种高效率电源转换器、DC-DC 转换器和负载开关等应用。该器件采用 SOT-223 封装，便于散热和集成。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：8A
最大漏极-源极电压 (Vds)：100V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 0.015Ω（在 Vgs=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SOT-223
LNZ8F10VT5G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现优异，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于在高温环境下工作的电源系统。其 SOT-223 封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压，确保了在不同驱动条件下都能保持稳定的导通状态。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路。
由于其高可靠性和优异的电气性能，LNZ8F10VT5G 广泛用于工业电源、消费类电子产品、汽车电子系统以及便携式设备中的功率管理模块。
LNZ8F10VT5G 主要用于需要高效率和低导通损耗的电源管理系统中。常见的应用包括：
? DC-DC 转换器
? 同步整流器
? 电池管理系统
? 电源开关和负载开关
? 电机驱动电路
? 工业自动化设备
? 消费类电子产品中的电源管理模块
SI7452DP, IRFZ44N, FDP8870
