类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：16A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：3.6W（最大）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　阈值电压（VGS(th)）：1.2V至2.5V（ID=250μA）

LNZ8B16VT5G MOSFET具备多项优异的电气和机械特性，适用于高要求的电源应用。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为4.5mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，使器件在高频开关条件下具有出色的性能，适用于高效率的DC-DC转换器和同步整流器。
　　该器件的最大漏极电流可达16A，漏源电压为30V，适用于多种中低电压功率转换应用。此外，其栅源电压容限为20V，提高了在高噪声环境下的工作稳定性。LNZ8B16VT5G的工作温度范围宽，支持从-55°C到175°C的极端环境操作，适用于汽车电子、工业控制和便携式设备等严苛应用环境。
　　LNZ8B16VT5G采用PowerPAK SO-8封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适合高密度电路设计。其封装结构不仅提供了优异的散热能力，还简化了PCB布局和装配流程。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺。

LNZ8B16VT5G广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及各类高效能电源模块。由于其低导通电阻和高频开关特性，特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的电源转换系统。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动工具和电池管理系统。在工业控制领域，LNZ8B16VT5G可应用于伺服电机驱动器、电源管理模块和自动化设备中的功率开关。

NDS8858, SiSS16DN, IRF7413, SQJ482EP, LNZ8B16V