时间：2025/10/7 0:27:16
阅读：16
LNX2G682MSEH是一款由KEMET（现属Yageo集团）生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R介电材料系列，具有较高的电容稳定性，适用于广泛的工业、消费类和通信电子设备。该型号的标称电容值为6800pF（即6.8nF），额定电压为100V DC，电容容差为±20%。由于其采用小型化0805（2012公制）封装尺寸，LNX2G682MSEH非常适合高密度PCB布局设计，尤其是在空间受限的应用中表现出色。该电容器采用镍阻挡层端接（Ni-barrier termination）技术，增强了抗焊料热冲击和耐潮湿性能，提高了长期可靠性。此外，该器件符合RoHS指令要求，并且无铅兼容，适用于现代环保型电子产品制造流程。LNX2G682MSEH广泛用于去耦、滤波、旁路、耦合以及定时电路等应用场景。得益于X7R材料的温度特性，该电容在-55°C至+125°C的工作温度范围内能保持电容值变化不超过±15%，确保系统在宽温环境下稳定运行。
电容值：6800pF (6.8nF)
容差：±20%
额定电压：100V DC
介电材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化 ≤ ±15%
封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
端接类型：Ni-barrier (镍阻挡层)
安装类型：表面贴装 (SMD)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
产品系列：LNX
制造商：KEMET (Yageo)
LNX2G682MSEH所采用的X7R介电材料是多层陶瓷电容器中应用最广泛的类型之一，具备良好的电容稳定性与温度适应能力。在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，其电容值的变化幅度控制在±15%以内，这使得它非常适合用于对电容稳定性有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超精密性能的应用场景。这种介电特性使其在电源去耦、中频滤波和信号耦合等电路中表现优异。X7R材料相较于C0G具有更高的体积效率，能够在较小封装内实现较大的电容值，从而满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
该器件采用0805（2012）小尺寸封装，在保证足够机械强度的同时极大节省了PCB空间，特别适用于便携式设备、通信模块和高密度数字电路板。其镍阻挡层端子结构是一项关键技术优势，能够有效防止银离子迁移现象，提升器件在高温高湿环境下的长期可靠性。相比传统的纯银端接，Ni-barrier结构显著增强了抗电化学腐蚀能力，避免因潮湿或偏压导致的短路失效，延长了产品寿命。
LNX2G682MSEH符合RoHS和REACH环保标准，支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线。其稳定的电气性能和可靠的结构设计使其在工业控制、汽车电子、医疗设备和电信基础设施中广泛应用。此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应特性，适合用作开关电源中的去耦电容，可有效滤除噪声并稳定供电电压。批量生产一致性高，适合自动化贴片装配，有助于提高整机良率和生产效率。
LNX2G682MSEH广泛应用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的电子系统中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器的输入/输出端进行去耦和滤波，抑制电压波动和高频噪声，提升电源质量。在模拟信号链路中，可用于交流耦合电容，阻断直流分量同时传递交流信号，常见于音频放大器、传感器接口和数据采集系统中。
在通信设备中，该电容器可用于中频滤波网络或匹配电路，帮助优化信号完整性。其稳定的X7R特性使其适用于温度变化较大的户外或工业环境设备，如PLC控制器、电机驱动器和工业仪表。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，LNX2G682MSEH可用于射频模块或电源轨的局部去耦，保障芯片稳定运行。
由于其100V额定电压，该器件也适用于中等电压电路，例如电池管理系统（BMS）、LED驱动电源或小型逆变器中的旁路应用。在汽车电子领域，虽然不满足AEC-Q200认证，但仍可用于非关键车载系统，如信息娱乐系统的辅助电路。此外，在测试测量仪器和医疗电子设备中，其可靠性和稳定性也使其成为常用元件之一。总之，该电容器凭借其优良的综合性能，适用于多种通用及工业级应用场景。
[
"C3216X7R1H682M",
"GRM21BR71H682KA01L",
"CL21A682MJANNNC",
"UHV2J682MHD",
"CC0805ZRY72W100"
]
