LNTK3043NT5G 时间：2025/8/14 16:39:05 阅读：26

LNTK3043NT5G是一款由Lontek公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和快速开关特性。LNTK3043NT5G通常封装在TSOP-5或SOT-23-5等小型封装中，适用于便携式设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.3A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大28mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP-5/SOT-23-5
　　功率耗散(Pd)：2.5W（最大值）
　　栅极电荷(Qg)：10nC（典型值，Vgs=10V）
　　输入电容(Ciss)：500pF（典型值，Vds=15V）
　　反向恢复时间(trr)：25ns（典型值）

特性

LNTK3043NT5G具有多项优异的电气和热性能特性，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。其低导通电阻特性（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷(Qg)较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其先进的沟槽式工艺技术还确保了器件在高电流条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作，而不会出现性能下降或可靠性问题。这种特性使其非常适合用于紧凑型设计或散热条件有限的应用场景。同时，LNTK3043NT5G的封装形式（如TSOP-5或SOT-23-5）非常小巧，适用于对空间要求较高的便携式电子设备。
　　在开关特性方面，LNTK3043NT5G具有快速的开关响应时间，能够有效减少开关延迟和转换损耗，从而提高系统的动态响应能力。其反向恢复时间(trr)较短，也有助于降低在同步整流和高频逆变器中的损耗。此外，该器件的栅源电压容限为±20V，具有较强的抗过压能力，提升了使用过程中的安全性和可靠性。
　　综合来看，LNTK3043NT5G是一款性能优越、尺寸紧凑的功率MOSFET，适用于多种电源管理应用。

应用

LNTK3043NT5G广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、同步整流器、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块，以及各种低电压高频率的开关电路。该器件的低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计。