器件型号：LNT2G562MSEH
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：5.6V
　　击穿电压（VBR）：6.4V（最大值）
　　钳位电压（VC）：13.5V（典型值，IPP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：2A（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：1μA（最大值）
　　电容值（Cj）：15pF（典型值，f=1MHz）
　　反向工作电压（VRWM）：5.6V
　　封装类型：MSOP-8
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　ESD防护能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2）
　　极性：双向

LNT2G562MSEH的核心特性之一是其低动态电阻与高效能瞬态吸收能力，使其在面对高达±15kV的ESD冲击时仍能保持稳定的钳位性能，有效防止下游集成电路因过压而损坏。该器件采用双向TVS结构设计，适用于交流信号线路或可逆极性供电系统的保护场景，例如USB数据线、音频接口、传感器信号线等。其低结电容（典型值15pF）确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或失真，特别适合用于速率较高的数字通信接口，如I2C、SPI、UART等，保障信号完整性的同时提供可靠的过压保护。
　　另一个关键优势在于其紧凑的MSOP-8封装，在仅占用极小PCB面积的前提下实现了双通道独立保护功能，极大提升了系统级设计的空间利用率。这种高集成度的设计不仅减少了外部元件数量，还降低了布板复杂度和整体成本。器件具备优异的热稳定性，能够在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定运行，适应严苛的工业环境或高温工作条件。此外，LNT2G562MSEH通过了IEC 61000-4-2 Level 4接触放电测试标准，证明其在真实电磁干扰环境下具备出色的抗扰能力和长期可靠性。
　　该TVS阵列还具有极快的响应时间（通常小于1纳秒），可在瞬态电压发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，避免电压上升至危险水平。其低漏电流特性（最大1μA）确保在正常工作状态下几乎不消耗额外功率，有利于电池供电设备延长待机时间。所有内部材料均符合RoHS指令要求，并支持无铅回流焊工艺，兼容现代自动化生产流程。综合来看，LNT2G562MSEH是一款兼顾高性能、小型化与环保合规性的理想选择，适用于需要高可靠性和紧凑设计的现代电子系统中的多通道瞬态保护需求。

LNT2G562MSEH主要用于各类需要抵御静电放电和瞬态电压冲击的电子设备中，典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式消费类电子产品中的高速数据接口保护，如USB 2.0、HDMI、耳机插孔、触摸屏控制器信号线等。此外，它也广泛应用于工业控制领域的传感器信号调理电路、PLC模块输入输出端口、RS-485/RS-232通信接口的浪涌防护。在汽车电子方面，可用于车载信息娱乐系统、车内网络通信总线（如CAN、LIN）以及辅助驾驶系统的低速信号线路保护。由于其具备良好的ESD抑制能力和低电容特性，该器件同样适用于医疗设备中对信号精度和系统稳定性要求较高的监测仪器前端电路。另外，在物联网（IoT）设备、智能家居终端、无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth）的数据引脚上，LNT2G562MSEH也能有效提升系统的电磁兼容性（EMC）表现，防止因外部静电或电源波动导致的误动作或芯片损坏。

SP1205-05UTG
　　SRV05-4
　　TPD2E001DPYR