时间：2025/10/7 9:11:38
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LNT1H473MSE是一款由松下（Panasonic）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的去耦、滤波和旁路等应用。该器件采用小型表面贴装技术（SMT），适用于高密度印刷电路板设计。其电容值为47nF（即47000pF），额定电压为50V DC，具有较高的稳定性和可靠性。LNT1H473MSE属于松下高性能电容器系列，采用X7R温度特性介质材料，能够在宽温度范围内保持稳定的电性能。这种电容器广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制装置中。
LNT1H473MSE的命名遵循松下的标准编码规则："LN"代表产品系列，"T"表示温度特性为X7R，"1H"对应额定电压50V，"473"表示电容值47×103pF = 47nF，"M"为电容公差±20%，"SE"则代表包装形式和端子电极类型。该器件符合RoHS指令要求，无铅且环保，适合现代绿色电子制造流程。由于其优良的高频响应特性和低等效串联电阻（ESR），在电源管理单元中常被用作输入/输出滤波电容，以抑制噪声并提高系统稳定性。
电容值：47nF
容差：±20%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
尺寸代码：1210（3225公制）
长度：3.2mm
宽度：2.5mm
厚度：最大2.5mm
介质材料：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
电极结构：镍阻挡层+锡外涂层
失效率：标准工业级
直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF（取较大者）
耐湿性：符合IEC 60384-8/21标准
可焊性：符合JIS C 5002标准
LNT1H473MSE所采用的X7R型陶瓷介质赋予了该电容器出色的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内工作，且电容变化率控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等其他介电材料。这一特性使其特别适用于需要在恶劣环境或高温条件下长期稳定运行的应用场景。此外，X7R材料还提供了较好的直流偏压响应，在施加接近额定电压的工作条件下，电容值的衰减相对温和，有利于维持滤波和去耦效果。
该电容器采用多层叠层结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高电容密度，从而在较小封装内实现较大的电容容量。尽管其容差为±20%，略宽于精密类电容，但在大多数非精密模拟电路和数字电源系统中仍可接受。其表面贴装封装形式（1210）便于自动化贴片生产，提高了组装效率，并支持回流焊接工艺。
在电气性能方面，LNT1H473MSE具备较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在数十MHz频率范围内仍能有效发挥滤波作用，尤其适合用于开关电源输出端的平滑滤波或IC电源引脚的局部去耦。同时，其良好的抗机械应力能力减少了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险，提升了整体系统的可靠性。此外，该器件经过严格的寿命测试，保证在额定条件下使用寿命可达数万小时以上。
LNT1H473MSE广泛应用于各类需要中等电容值和较高电压等级的电子设备中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的输入和输出滤波电容，用于平滑电压波动并减少传导噪声；在DC-DC转换器模块中作为储能和去耦元件，配合电感构成LC滤波网络，提升输出电压的纯净度；在微处理器、FPGA、ASIC等高速数字芯片的供电网络中，部署于电源引脚附近，吸收瞬态电流变化带来的电压尖峰，确保核心逻辑稳定运行。
此外，该电容器也常用于工业控制系统中的信号耦合与隔直电路，以及汽车电子模块（如ECU、传感器接口）中对可靠性和温度适应性有较高要求的场合。由于其符合RoHS标准且不含卤素，适用于出口型电子产品及绿色能源设备（如光伏逆变器、风力发电控制器）。在通信基础设施领域，如基站射频单元、光模块电源管理部分，LNT1H473MSE也能胜任高频旁路任务。其1210封装尺寸在空间允许的前提下提供了比0805更高的电压余量和更优的可靠性表现，因此在注重长期稳定性的工业和汽车应用中备受青睐。
GRM32DR71H473QA12L
CL21B473MBANNNC
C3225X7R1H473M
EMK325BJ473ML
