电容值：0.68μF (680nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X5R (±15%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　封装尺寸：1210 (3225 公制)
　　介质材料：陶瓷 (X5R)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：最大2.0mm
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 ≥ 100 MΩ·μF（取较大值）
　　耐久性：在额定电压和+85°C环境下持续工作1000小时后，电容值变化不超过初始值的-75%～+25%，且损耗角正切值不超初始值的200%

LNT1E684MSE采用先进的多层叠膜技术和高温共烧工艺制造，确保了内部电极与陶瓷介质之间的良好结合，提升了产品的机械强度和电气可靠性。其X5R类电介质材料在较宽的温度范围内表现出优异的电容稳定性，尤其适合需要在环境温度波动较大的条件下保持性能一致的应用场景。相比Y5V等介电材质，X5R在温度变化时的电容衰减更小，因此更适合用于定时、滤波和反馈回路等对电容精度有一定要求的场合。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现良好，能有效抑制电源噪声，提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　该型号电容器经过严格的出厂测试，包括耐电压测试、绝缘电阻测量、电容值分选及外观检测，确保每一批次产品均符合国际质量标准。其结构设计优化了端电极的附着力，增强了抗弯曲和热冲击能力，减少了因PCB弯曲或温度循环引起的裂纹风险。此外，产品采用镍阻挡层和锡覆盖的端子电极，具备良好的可焊性和长期耐腐蚀性，适用于回流焊和波峰焊等多种SMT工艺流程。
　　在直流偏压方面，虽然所有高介电常数陶瓷电容都会随着施加电压增加而出现电容值下降的现象，但LNT1E684MSE的设计在同类产品中表现相对稳定，能够在接近额定电压运行时仍保留较高比例的有效电容。这一特性对于现代低电压、高电流的数字电路供电系统尤为重要，有助于维持电源轨的瞬态响应能力。另外，该器件无铅、无卤素，符合欧盟RoHS和REACH环保指令要求，支持绿色制造理念。

LNT1E684MSE广泛应用于各类需要中等电容值和稳定电气性能的电子设备中。在电源管理系统中，它常被用作开关电源（SMPS）输出端的滤波电容，用于平滑输出电压纹波，提高电源效率和稳定性。在DC-DC转换器模块中，该电容可用于输入和输出端的去耦，吸收高频噪声并防止干扰传播至其他电路部分。此外，在微处理器、FPGA、ASIC等数字IC的供电引脚附近，LNT1E684MSE可作为局部储能元件，提供瞬态电流支持，降低电源阻抗，从而保障芯片正常运行。
　　在模拟电路中，该电容可用于信号耦合和级间隔离，特别是在音频放大器或传感器接口电路中，能够有效传递交流信号同时阻隔直流偏置。由于其良好的频率响应特性，也可用于构建低通、高通或带通滤波网络，实现特定频段的信号处理。在射频（RF）电路中，尽管不是首选高频专用电容，但在非关键路径中仍可用于旁路和去耦，辅助改善整体信号完整性。
　　工业控制设备、医疗仪器、汽车电子模块（尤其是非动力域系统）以及消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等，都是LNT1E684MSE的典型应用领域。其AEC-Q200认证资质使其可用于车载信息娱乐系统、车身控制单元等车规级应用。在自动化仪表和通信基站中，该器件也常用于电源稳压和噪声抑制电路，保障系统长期稳定运行。

[
　　 "GRM32DR71E684KA120D",
　　 "C3225X5R1E684K160AB",
　　 "CL32E684KBHNNNE",
　　 "EMK325BJ684KL-T",
　　 "ZRB32DR71E684KA01D"
　　]