时间：2025/6/10 16:37:56
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LNG7N65D是一种高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
这种MOSFET广泛用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高电压和高效率的应用场合。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：0.65Ω
栅极电荷：38nC
开关时间：ton=19ns, toff=24ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
LNG7N65D具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（650V），适合多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻（0.65Ω），可减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，有助于提高工作效率和减少电磁干扰。
4. 小型封装设计，节省电路板空间。
5. 提供优异的雪崩能力和可靠性，确保在异常条件下正常工作。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
LNG7N65D适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的开关元件。
5. 各种工业控制和消费类电子设备中的功率转换模块。
LNG7N65, IRF740, STP7NK60Z
