时间：2025/8/13 14:10:38
阅读：19
LNB2306ELT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：26mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：13nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSOP-6
最大功耗(Pd)：1.4W
LNB2306ELT1G具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其Trench沟槽工艺确保了优异的开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TSOP-6封装形式提供了良好的散热性能，同时节省PCB空间，适用于紧凑型设计。LNB2306ELT1G还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护功能。
LNB2306ELT1G适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源适配器、电机驱动器以及各种低电压高效率电源系统。由于其高频开关特性和低导通电阻，它在需要高效能和小尺寸设计的便携式电子设备中尤为受欢迎。
Si2306DS, IRML2306, FDS6675, NVTFS5C428NL
