时间：2025/8/13 12:30:58
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LNA7610HDT1WG 是一款由ON Semiconductor生产的低噪声放大器（LNA），专为射频（RF）和微波应用设计。该器件采用先进的SiGe（硅锗）工艺制造，提供优异的噪声性能和高线性度，适用于无线基础设施、通信系统和测试设备等高频应用场景。
工作频率范围：10 MHz至6 GHz
噪声系数（NF）：典型值0.85 dB @ 2 GHz
增益：典型值17 dB @ 2 GHz
输出三阶交调截点（OIP3）：典型值35 dBm @ 2 GHz
电源电压：3.0 V至5.5 V
电流消耗：典型值70 mA
封装形式：SOT-89-4
LNA7610HDT1WG具备宽频带操作能力，能够在10 MHz至6 GHz的频率范围内保持稳定的性能表现。其低噪声系数确保了接收机前端的信号清晰度，同时高增益设计减少了后级放大需求，提升了整体系统灵敏度。
该器件具有出色的线性度和高输入三阶交调截点（IIP3），使其在高信号强度环境下依然保持良好的失真抑制能力。LNA7610HDT1WG的输入和输出端口均具备良好的回波损耗，确保了与射频前端模块的匹配性。
其工作电压范围宽（3.0 V至5.5 V），适用于多种电源设计，并具备良好的温度稳定性，能够在工业级温度范围内可靠运行。SOT-89-4封装形式便于表面贴装，节省电路板空间，适用于高密度PCB布局。
LNA7610HDT1WG广泛应用于无线通信系统、基站接收机、Wi-Fi接入点、射频测试设备、软件定义无线电（SDR）平台以及各类高性能射频前端模块。其宽频带特性也使其适用于多频段通信设备和频谱分析仪器。
AV9183、MAX2640、BGA7254、TQP3M9003
