LN95N03D2 时间：2025/8/13 11:10:29 阅读：26

LN95N03D2 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和较高的电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：3A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤95mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LN95N03D2的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率；具备较高的耐压能力，可在较宽的电压范围内稳定工作；采用TO-252封装形式，具有良好的热性能和散热能力，适用于中高功率应用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，同时具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣环境中稳定运行。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有利于降低驱动损耗，提高开关速度；其反向恢复特性优秀，有助于减少开关过程中的能量损耗。LN95N03D2在设计中广泛应用于各类电源管理系统、电池充电器、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关电路中。