类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（Tc=25℃）
　　漏极功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V, ID=55A 时，RDS(on) 典型值为 4.5mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V

LN8342DT1G 采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
　　其高耐压特性使其适用于多种高压电源转换场景，如开关电源、同步整流和负载开关。
　　该 MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。
　　TO-252 封装提供了优良的散热性能，便于 PCB 布局和安装。
　　此外，LN8342DT1G 具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频操作环境。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子设备对环保的要求。

LN8342DT1G 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块等领域。
　　在服务器电源、通信电源、工业电源以及电动汽车电源系统中也有广泛应用。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于高功率密度设计和高效率要求的应用场景。
　　此外，该 MOSFET还可用于电源适配器、UPS（不间断电源）系统和储能系统等。

IRF1404、SiSS140N06SY-T1-GE3、FDD8880、AUIRF1404S、NTMFS4C10N