时间：2025/8/13 12:26:49
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LN7412DT1WG是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。LN7412DT1WG采用SOT-223封装形式，适用于表面贴装，便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值）
功耗（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-223
LN7412DT1WG采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中表现出色，具有非常低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其45mΩ的Rds(on)在Vgs=4.5V时能够提供出色的导通性能，适用于高电流负载场景。该器件的栅极驱动电压范围为1.8V至12V，使其兼容多种控制器和驱动电路，包括由低压微控制器提供的信号控制。
此外，LN7412DT1WG具有良好的热稳定性，SOT-223封装能够有效散热，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定性能。其最大连续漏极电流为5A，适用于中高功率的开关应用。该MOSFET具备较高的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
该器件的开关速度快，能够支持高频操作，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等对响应速度有要求的应用场景。同时，LN7412DT1WG具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高整体能效。
LN7412DT1WG适用于多种电源管理和功率控制应用，包括同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充电与管理系统、电机驱动电路以及各种需要高效、低损耗开关的嵌入式系统。此外，它也可用于LED驱动、工业自动化设备、消费类电子产品和便携式设备中的电源控制模块。
SI2302DS、AO3400A、FDN340AN、FDS6680、AP2302
