类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值2.9mΩ（典型值2.3mΩ）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
　　输入电容（Ciss）：1900pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：45ns（典型值）

LN7390DT1WG 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下最小的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构，优化了电场分布，降低了开关损耗，并增强了器件的可靠性。此外，LN7390DT1WG具有高耐压能力和良好的抗雪崩能力，能够在高压和高电流条件下稳定工作，适用于苛刻的工作环境。
　　该器件的封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装封装提供了良好的热管理和空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。同时，LN7390DT1WG的栅极驱动电压范围较宽，支持1V至2.5V的阈值电压，使其兼容多种控制电路和驱动器。此外，该MOSFET的输入电容较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高响应速度。
　　在可靠性方面，LN7390DT1WG通过了严格的工业标准测试，具备出色的抗静电能力和耐久性，能够在高温和高湿环境下长期稳定运行。

LN7390DT1WG 广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。在电源管理方面，该MOSFET可用于高效电源适配器、服务器电源和UPS（不间断电源）系统。在DC-DC转换器中，LN7390DT1WG凭借其低导通电阻和高开关速度，能够实现高效的电压转换，适用于车载电源、通信设备和工业控制系统。
　　此外，LN7390DT1WG还可用于电机控制应用，如电动工具、风扇和泵的驱动电路中，提供高效的功率开关功能。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。

Si7390DP-T1-E3、IRF7390、AO4496、FDD7390、FDMS7390