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LN61CN3602MR-G 发布时间 时间:2025/6/30 17:15:24 查看 阅读:6

LN61CN3602MR-G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管阵列,属于达林顿晶体管配置。该器件采用 SOIC-16 封装形式,广泛应用于需要高增益和低饱和电压的电路中。其设计适用于多种开关和放大应用场景,具有较高的电流驱动能力和可靠性。
  达林顿晶体管是一种复合结构的双极型晶体管,它通过将两个或多个晶体管串联耦合来实现高电流增益。这种结构非常适合驱动继电器、电机和其他需要大电流驱动的负载。

参数

集电极-发射极击穿电压:50V
  集电极最大连续电流:500mA
  功耗:400mW
  增益(hFE):1000
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOIC-16

特性

LN61CN3602MR-G 的主要特性包括高电流增益、低饱和电压以及出色的热稳定性。
  1. 高增益:由于采用了达林顿晶体管结构,这款芯片能够提供高达 1000 的电流增益,使得即使输入信号较弱的情况下也能有效驱动负载。
  2. 低饱和电压:在导通状态下,晶体管表现出较低的饱和电压,从而减少功率损耗并提高效率。
  3. 热稳定性:该器件能够在广泛的温度范围内保持性能稳定,适用于工业和汽车环境中的苛刻条件。
  4. 小型化封装:SOIC-16 封装提供了良好的电气特性和机械强度,同时占用较小的 PCB 空间。

应用

LN61CN3602MR-G 广泛应用于需要高电流增益和低功耗的场景中。典型应用包括:
  1. 继电器驱动:用于控制电磁继电器的开关状态。
  2. 电机控制:可作为小型直流电机的驱动器。
  3. LED 驱动:适合高亮度 LED 的电流驱动。
  4. 传感器接口:用作信号放大和转换。
  5. 开关电源:用于某些辅助电路的开关功能。
  此外,这款芯片也常用于家用电器、工业自动化设备和汽车电子系统中。

替代型号

LN61CN3601MR-G
  LN61CN3603MR-G
  ULN2003A
  ULN2803A

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